PL
检测原理
· 光致发光( Photoluminescence，简称PL) ，太阳电池的缺陷往往限制其光电转换效率和使用寿命
· 光致发光可快速通过少子寿命变化进行硅片检测，其原理是利用光致发光原理获取晶体硅的荧光照片，且有高分辨率，用以探测硅片的粗糙面及内部破损情况
· 相对比EL测试需要接触样品才能进行，PL测试不接触样品，因此可对生产电池片中各生产过程进行监控
| 项目 | 规格 |
| 设备尺寸 | 长450mm宽450mm高770mm |
| 适用最大尺寸 | 175*175mm |
| 适用Wafer类型 | 单晶、多晶 |
最高产能 | >3600PCS/小时 |
| 像素精度 | <0.34mm(0.5K 线扫相机) |
| 检测缺陷精度 | <0.34mm |
UPTime | >98% |
| 项目 | 规格 |
黑心、黑边、黑 | 单晶、多晶 |
| 隐裂 | 单晶、多晶 |
| 划痕 | 单晶、多晶 |
污染 | 单晶、多晶 |
| 断栅 | 单晶、多晶 |
烧结不均 | 单晶、多晶 |
| 位错 | 多晶 |
| 破损 | 单晶、多晶 |
成像效果
