膜后AOI
设备特点
· 精准数控式积分曲面RGB无影光源，全进口千万像素级工业CCD及镜头
· 设备结构高度集成，安装方便，系统稳定，操作&维护简单
· 在线式检测，可与产线MES无缝连接
· 采用高色度还原算法，可真实还原电池片颜色，精确分辨不同电池片色差或同一电池片内色差，从而进行高精度分选。
| 项目 | 规格 |
相机分辨率 | 2000万 |
| 设备尺寸 | L320xW461xH801m |
| 适用Wafer尺寸 | 156*156~166*166 mm |
| 适用Wafer类型 | 单晶、多晶，金刚线单晶、多晶，PERC电池片 |
最高产能 | 7000PCS/小 |
| 像素精度 | <0.047mm |
| 检测缺陷精度 | <0.09mm |
UPTime | >98% |
| 误判率 | <0.5% |
漏判率 | <0.1% |
| 项目 | 质量降级标准 | 检测能力要求 |
| 划伤 | L<1.5mm、W<1mm | L≥1mm、W≥0.5mm可检出 |
| 脏污 | S<3mm² | S≥0.3mm²可检出 |
| 色差 | 距离50cm目视不允许存在明显发白、发黄、发红现象 | 局部（S≥2mm²）发红、发黄、发白、发绿等可检出 |
| 色斑 | S≤4mm² | S≥0.3mm²可检出 |
| 小白点 | S≤4mm² | S≥0.3mm²可检出 |
| 水印 | S≤5mm² | S≥0.3mm²可检出 |
| 裂纹 | 不允许 | 肉眼可视的可检出 |
| 手指印 | 不允许 | S≥1mm²可检出 |
| 缺角 | 不允许 | S≥0.2mm²可检出 |
| 崩边、缺口 | L<1.5mm、H<0.5mm、S≤4mm² | L≥1.5mm、H≥0.5mm、S≥2mm²可检出 |
成像效果
